MTN3N60J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTN3N60J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 27 ns
Выходная емкость (Cd): 58 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.6 Ohm
Тип корпуса: TO-252
MTN3N60J3 Datasheet (PDF)
mtn3n60j3.pdf
Spec. No. : C798J3 Issued Date : 2010.08.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 3.6 (typ.) MTN3N60J3 ID : 3A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and halogen-free package Applications
mtn3n60i3.pdf
Spec. No. : C798I3 Issued Date : 2010.08.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.11.10 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 3.6 (typ.) MTN3N60I3 ID : 3A Description The MTN3N60I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
mtn3n60fp.pdf
Spec. No. : C798FP Issued Date : 2010.03.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.30 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 3.6 (typ.) MTN3N60FP ID : 3A Description The MTN3N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-
mtn3n65fp.pdf
Spec. No. : C798FP Issued Date : 2010.03.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.30 Page No. : 1/ 11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 3.6 (typ.) MTN3N65FP ID : 3A Description The MTN3N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
