MTN4402Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTN4402Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 356 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0043 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
MTN4402Q8 Datasheet (PDF)
mtn4402q8.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C910Q8 Issued Date : 2013.05.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 20VMTN4402Q8 ID 20A4.3m VGS=4.5V, ID=20A RDSON(TYP) 5.3m VGS=2.5V, ID=20A Description The MTN4402Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switc
mtn4410v8.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C397V8 Issued Date : 2012.03.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.03.15 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTN4410V8 Features Single Drive Requirement Low On-resistance Pb-free lead plating package Applications Synchronous rectifier for DC/DC converters Telecom secondary side rectification High end s
mtn4424q8.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C382Q8 Issued Date : 2007.06.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.18 Page No. : 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTN4424Q8 Description The MTN4424Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 pack
mtn4410q8.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C397Q8 Issued Date : 2007.06.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.01.23 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTN4410Q8 Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt rating Repetitive Avalanche Rated Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol O
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![MTN4402Q8](https://alltransistors.com/images/us.png)
![MTN4402Q8](https://alltransistors.com/images/es.png)
![MTN4402Q8](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C