MTN5N50FP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTN5N50FP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
trⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
MTN5N50FP Datasheet (PDF)
mtn5n50fp.pdf
Spec. No. : C740FP Issued Date : 2011.04.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.01.10 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) max. : 1.6 MTN5N50FP ID : 4.5A Description The MTN5N50FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
mtn5n50j3.pdf
Spec. No. : C740J3 Issued Date : 2010.06.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) max. : 1.6 MTN5N50J3 ID : 4.5A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Applications
mtn5n50i3.pdf
Spec. No. : C740I3 Issued Date : 2010.06.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.11.10 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) max. : 1.6 MTN5N50I3 ID : 4.5A Description The MTN5N50I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
mtn5n50e3.pdf
Spec. No. : C740E3 Issued Date : 2009.09.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) : 1.5 MTN5N50E3 ID : 4.5A Description The MTN5N50E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cos
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100