MTN5N50I3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTN5N50I3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
trⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: TO-251
MTN5N50I3 Datasheet (PDF)
mtn5n50i3.pdf
Spec. No. : C740I3 Issued Date : 2010.06.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.11.10 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) max. : 1.6 MTN5N50I3 ID : 4.5A Description The MTN5N50I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
mtn5n50fp.pdf
Spec. No. : C740FP Issued Date : 2011.04.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.01.10 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) max. : 1.6 MTN5N50FP ID : 4.5A Description The MTN5N50FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
mtn5n50j3.pdf
Spec. No. : C740J3 Issued Date : 2010.06.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) max. : 1.6 MTN5N50J3 ID : 4.5A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Applications
mtn5n50e3.pdf
Spec. No. : C740E3 Issued Date : 2009.09.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) : 1.5 MTN5N50E3 ID : 4.5A Description The MTN5N50E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cos
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918