MTN5N50J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTN5N50J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 74 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.6 Ohm
Тип корпуса: TO-252
MTN5N50J3 Datasheet (PDF)
mtn5n50j3.pdf
Spec. No. : C740J3 Issued Date : 2010.06.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) max. : 1.6 MTN5N50J3 ID : 4.5A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Applications
mtn5n50fp.pdf
Spec. No. : C740FP Issued Date : 2011.04.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.01.10 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) max. : 1.6 MTN5N50FP ID : 4.5A Description The MTN5N50FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
mtn5n50i3.pdf
Spec. No. : C740I3 Issued Date : 2010.06.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.11.10 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) max. : 1.6 MTN5N50I3 ID : 4.5A Description The MTN5N50I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
mtn5n50e3.pdf
Spec. No. : C740E3 Issued Date : 2009.09.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) : 1.5 MTN5N50E3 ID : 4.5A Description The MTN5N50E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cos
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
