MTN5N60FP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTN5N60FP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
Аналог (замена) для MTN5N60FP
MTN5N60FP Datasheet (PDF)
mtn5n60fp.pdf

Spec. No. : C408FP-A Issued Date : 2009.04.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.12 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1(typ.) MTN5N60FP ID : 4.5A Description The MTN5N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low
mtn5n60i3.pdf

Spec. No. : C408I3-A Issued Date : 2010.03.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.11.20 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1 (typ.) MTN5N60I3 ID : 5A Description The MTN5N60I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on
mtn5n60e3.pdf

Spec. No. : C408E3-A Issued Date : 2010.09.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1(typ.) MTN5N60E3 ID : 4.5A Description The MTN5N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance
mtn5n60j3.pdf

Spec. No. : C408J3 Issued Date : 2010.03.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1(typ.) MTN5N60J3 ID : 5A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating package Applications
Другие MOSFET... MTN4N70I3 , MTN50N06E3 , MTN540J3 , MTN5N50E3 , MTN5N50FP , MTN5N50I3 , MTN5N50J3 , MTN5N60E3 , IRF4905 , MTN5N60I3 , MTN5N60J3 , MTN5N65FP , MTN60NF06LJ3 , MTN6515E3 , MTN6515F3 , MTN6515H8 , MTN6515J3 .
History: IRFR13N20DPBF
History: IRFR13N20DPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTP330N06D | JMTP3010D | JMTP3008A | JMTP260N03D | JMTP250P03A | JMTP240N03D | JMTP240C03D | JMTP230C04D | JMTP170N06D | JMTP170N06A | JMTP170C04D | JMTP160P03D | JMTP130P04A | JMTP130N04A | JMTP120C03D | JMTL3134KT7
Popular searches
pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92