Справочник MOSFET. MTN5N60I3

 

MTN5N60I3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN5N60I3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для MTN5N60I3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN5N60I3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  cystek
 mtn5n60i3.pdf pdf_icon

MTN5N60I3

Spec. No. : C408I3-A Issued Date : 2010.03.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.11.20 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1 (typ.) MTN5N60I3 ID : 5A Description The MTN5N60I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on

 7.1. Size:287K  cystek
 mtn5n60fp.pdf pdf_icon

MTN5N60I3

Spec. No. : C408FP-A Issued Date : 2009.04.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.12 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1(typ.) MTN5N60FP ID : 4.5A Description The MTN5N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low

 7.2. Size:320K  cystek
 mtn5n60e3.pdf pdf_icon

MTN5N60I3

Spec. No. : C408E3-A Issued Date : 2010.09.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1(typ.) MTN5N60E3 ID : 4.5A Description The MTN5N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

 7.3. Size:349K  cystek
 mtn5n60j3.pdf pdf_icon

MTN5N60I3

Spec. No. : C408J3 Issued Date : 2010.03.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1(typ.) MTN5N60J3 ID : 5A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating package Applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.