MTN6515E3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTN6515E3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 107 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 725 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для MTN6515E3
MTN6515E3 Datasheet (PDF)
mtn6515e3.pdf

Spec. No. : C739E3 Issued Date : 2009.10.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.10.18 Page No. : 1/6 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTN6515E3 ID 20A65m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating Equivalent Circuit Outline TO-220 MTN6515E3GGate DDrain SS
mtn6515f3.pdf

Spec. No. : C739F3 Issued Date : 2012.06.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTN6515F3 ID 20ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 66m(typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=10A 64m(typ) RDS(ON)@VGS=3V, ID=3A 66m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating pack
mtn6515j3.pdf

Spec. No. : C739J3 Issued Date : 2009.10.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.07.07 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTN6515J3 ID 20ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 60m(typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=10A 59m(typ) RDS(ON)@VGS=3V, ID=3A 60m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead
mtn6515h8.pdf

Spec. No. : C739H8 Issued Date : 2009.12.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.06.28 Page No. : 1/8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTN6515H8ID 20ARDSON(max) 65m Description The MTN6515H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1008PK | JMSH1008PGQ | JMSH1008PG | JMSH1008PE | JMSH1008PC | JMSH1008AKQ | JMSH1008AGQ | JMSH1008AG | JMSH1008AE | JMSH1008AC | JMSH0606PU | JMSH0606PK | JMSH0606PGQ | JMSH0606PGDQ | JMSH0606PGD | JMSH0606PG
Popular searches
2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227