Справочник MOSFET. MTN8N60E3

 

MTN8N60E3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN8N60E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 121.7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN8N60E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  cystek
 mtn8n60e3.pdf pdf_icon

MTN8N60E3

Spec. No. : C409E3-A Issued Date : 2009.08.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2009.08.13 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V @Tj=150 RDS(ON) : 1.2 (max.) MTN8N60E3 ID : 7.5A Description The MTN8N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des

 7.1. Size:285K  cystek
 mtn8n60fp.pdf pdf_icon

MTN8N60E3

Spec. No. : C409FP-A Issued Date : 2009.04.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.01.13 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDSON(TYP) : 1.08 MTN8N60FP ID : 7.5A Description The MTN8N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on

 8.1. Size:250K  cystek
 mtn8n65ea.pdf pdf_icon

MTN8N60E3

Spec. No. : C727EA Issued Date : 2010.12.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.12.29 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) :1.1(typ.) MTN8N65EA ID : 7.5A Description The MTN8N65EA is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

 8.2. Size:237K  cystek
 mtn8n65e3.pdf pdf_icon

MTN8N60E3

Spec. No. : C727E3 Issued Date : 2010.08.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 1.2(typ.) MTN8N65E3 ID : 7.5A Description The MTN8N65E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTN7451J3 , MTN7451Q8 , MTN7478Q8 , MTN7N60E3 , MTN7N60FP , MTN7N65FP , MTN8N50E3 , MTN8N50FP , 2N60 , MTN8N60FP , MTN8N65E3 , MTN8N65EA , MTN8N65FP , MTN8N70FP , MTN9240J3 , MTN9971J3 , MTN9973J3 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.