MTN8N60E3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN8N60E3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 121.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTN8N60E3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN8N60E3 даташит

 ..1. Size:287K  cystek
 mtn8n60e3.pdf pdf_icon

MTN8N60E3

Spec. No. C409E3-A Issued Date 2009.08.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.08.13 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V @Tj=150 RDS(ON) 1.2 (max.) MTN8N60E3 ID 7.5A Description The MTN8N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des

 7.1. Size:285K  cystek
 mtn8n60fp.pdf pdf_icon

MTN8N60E3

Spec. No. C409FP-A Issued Date 2009.04.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.01.13 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600V RDSON(TYP) 1.08 MTN8N60FP ID 7.5A Description The MTN8N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on

 8.1. Size:250K  cystek
 mtn8n65ea.pdf pdf_icon

MTN8N60E3

Spec. No. C727EA Issued Date 2010.12.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.12.29 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 1.1 (typ.) MTN8N65EA ID 7.5A Description The MTN8N65EA is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

 8.2. Size:237K  cystek
 mtn8n65e3.pdf pdf_icon

MTN8N60E3

Spec. No. C727E3 Issued Date 2010.08.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 1.2 (typ.) MTN8N65E3 ID 7.5A Description The MTN8N65E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTN7451J3, MTN7451Q8, MTN7478Q8, MTN7N60E3, MTN7N60FP, MTN7N65FP, MTN8N50E3, MTN8N50FP, 5N60, MTN8N60FP, MTN8N65E3, MTN8N65EA, MTN8N65FP, MTN8N70FP, MTN9240J3, MTN9971J3, MTN9973J3