MTN8N60E3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTN8N60E3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 121.7 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для MTN8N60E3
MTN8N60E3 Datasheet (PDF)
mtn8n60e3.pdf

Spec. No. : C409E3-A Issued Date : 2009.08.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2009.08.13 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V @Tj=150 RDS(ON) : 1.2 (max.) MTN8N60E3 ID : 7.5A Description The MTN8N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des
mtn8n60fp.pdf

Spec. No. : C409FP-A Issued Date : 2009.04.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.01.13 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDSON(TYP) : 1.08 MTN8N60FP ID : 7.5A Description The MTN8N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on
mtn8n65ea.pdf

Spec. No. : C727EA Issued Date : 2010.12.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.12.29 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) :1.1(typ.) MTN8N65EA ID : 7.5A Description The MTN8N65EA is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re
mtn8n65e3.pdf

Spec. No. : C727E3 Issued Date : 2010.08.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 1.2(typ.) MTN8N65E3 ID : 7.5A Description The MTN8N65E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a
Другие MOSFET... MTN7451J3 , MTN7451Q8 , MTN7478Q8 , MTN7N60E3 , MTN7N60FP , MTN7N65FP , MTN8N50E3 , MTN8N50FP , 13N50 , MTN8N60FP , MTN8N65E3 , MTN8N65EA , MTN8N65FP , MTN8N70FP , MTN9240J3 , MTN9971J3 , MTN9973J3 .
History: FQD7N20LTF | FMV10N60E | STP22NS25Z | HGS098N10SL
History: FQD7N20LTF | FMV10N60E | STP22NS25Z | HGS098N10SL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220