MTP1406L3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP1406L3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для MTP1406L3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP1406L3 даташит

 ..1. Size:560K  cystek
 mtp1406l3.pdf pdf_icon

MTP1406L3

Spec. No. C733L3 Issued Date 2012.02.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.07.25 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60V MTP1406L3 ID -4.8A 75m (typ.) RDSON@VGS=-10V, ID=-4A RDSON@VGS=-10V, ID=-1.5A 74m (typ.) 99m (typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-2A Features Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast

 7.1. Size:328K  cystek
 mtp1406j3.pdf pdf_icon

MTP1406L3

Spec. No. C733J3 Issued Date 2011.05.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60V MTP1406J3 ID -10A 90.8m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTP1406J3 TO-252AB TO-252AA G D S G D S G

 7.2. Size:238K  cystek
 mtp1406m3.pdf pdf_icon

MTP1406L3

Spec. No. C733M3 Issued Date 2011.05.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.12 Page No. 1/5 P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60V MTP1406M3 ID -4A 90.8m RDSON(MAX) Features Single Drive Requirement Low On-resistance, RDS(ON)=90.8m @VGS=-10V, ID=-4A Ultra High Speed Switching Pb-free lead plated package Symbol

 9.1. Size:242K  motorola
 mtp14n10e.pdf pdf_icon

MTP1406L3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP14N10E/D Advance Information MTP14N10E TMOS E-FET. Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E FET is designed to withstand high 14 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. The new energy 100 VOLTS efficient design also offers a drain

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTNN20N03Q8, MTNN8451KQ8, MTNN8452KQ8, MTNN8453KQ8, MTP1013C3, MTP1013S3, MTP1067C6, MTP1406J3, AO4407A, MTP1406M3, MTP162M3, MTP2010J3, MTP2071M3, MTP2301N3, MTP2301S3, MTP2303N3, MTP2305N3