MTP2301S3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTP2301S3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 7.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: SOT-323
MTP2301S3 Datasheet (PDF)
mtp2301s3.pdf
Spec. No. : C322S3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2013.08.29 Revised Date : 2013.09.09 Page No. : 1/8 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20VMTP2301S3 ID -1.6A75m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-1.6A 113m(typ.)RDSON(MAX)@VGS=-2.5V, ID=-1A Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on resistance
mtp2301n3.pdf
Spec. No. : C322N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2004.04.05 Revised Date :2018.08.31 Page No. : 1/9 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20V MTP2301N3 ID@TA=25C, VGS=-4.5V -3.4A 79m RDSON(TYP)@VGS=-4.5V, ID=-2.8A 116m RDSON(TYP)@VGS=-2.5V, ID=-2A Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on res
mtp2301n3.pdf
MTP2301N3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS
mtp2305n3.pdf
Spec. No. : C417N3 Issued Date : 2007.07.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.12.06 Page No. : 1/ 9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20V ID@TA=25C, VGS=-4.5V -4.8A MTP2305N3 27m (typ.) RDSON@VGS=-10V, ID=-4.5A 32m (typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4.2A 37m (typ.) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-2A 47m (typ.) RDSON@VGS=-1.8V, ID=-1A Features
mtp2303n3.pdf
Spec. No. : C426N3 Issued Date : 2008.03.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP2303N3 Description The MTP2303N3 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. Features V =-30V DS
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100