MTP3401N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP3401N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MTP3401N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP3401N3 даташит

 ..1. Size:421K  cystek
 mtp3401n3.pdf pdf_icon

MTP3401N3

Spec. No. C388N3 Issued Date 2007.06.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2017.06.19 Page No. 1/9 P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V MTP3401N3 ID@VGS=-10V, TA=25 C -4.2A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-4.2A 46m (typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-4A 51m (typ) RDS(ON)@VGS=-2.5V, ID=-1A 59m (typ) Features Advanced trench process technology High density c

 8.1. Size:340K  cystek
 mtp3403n3.pdf pdf_icon

MTP3401N3

Spec. No. C422N3 Issued Date 2007.10.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.24 Page No. 1/8 P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V MTP3403N3 ID -3.7A RDSON@VGS=-10V, ID=-3A 52m (typ) RDSON@VGS=-4.5V,ID=-2.6A 76m (typ) Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced trench process technology High densit

 8.2. Size:392K  cystek
 mtp3403an3.pdf pdf_icon

MTP3401N3

Spec. No. C387N3 Issued Date 2007.06.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.11.29 Page No. 1/7 P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP3403AN3 Features V =-30V DS @V =-4.5V, I =-2A R =85m GS DS DS(ON) @V =-2.5V, I =-1A R =120m GS DS DS(ON) Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on resistance Low

 8.3. Size:300K  cystek
 mtp3403kn3.pdf pdf_icon

MTP3401N3

Spec. No. C865N3 Issued Date 2012.08.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V MTP3403KN3 ID -3.3A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-2.5A 63m (typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-1.35A 100m (typ) RDS(ON)@VGS=-4V, ID=-1.35A 114m (typ) Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTP2317N3, MTP2402Q8, MTP2603G6, MTP2603N6, MTP2603Q6, MTP2611V8, MTP2955L3, MTP3001N3, IRFP260N, MTP3403AN3, MTP3403KN3, MTP3403N3, MTP3413N3, MTP3415KN3, MTP3J15N3, MTP3J15Y3, MTP3LP01N3