MTP3415KN3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP3415KN3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MTP3415KN3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP3415KN3 даташит

 ..1. Size:293K  cystek
 mtp3415kn3.pdf pdf_icon

MTP3415KN3

Spec. No. C589N3 Issued Date 2010.11.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.07.11 Page No. 1/ 9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20V ID -4.4A VGS=-4.5V, ID=-4A MTP3415KN3 33m VGS=-2.5V, ID=-4A 42m RDSON(TYP) VGS=-1.8V, ID=-2A 52m Features ESD protected 3KV Advanced trench process technology High density cell design for ultra lo

 8.1. Size:353K  cystek
 mtp3413n3.pdf pdf_icon

MTP3415KN3

Spec. No. C394N3 Issued Date 2012.01.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.04 Page No. 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20V MTP3413N3 ID -4.9A VGS=-4.5V, ID=-4.3A 39m VGS=-2.5V, ID=-2.5A RDSON(TYP) 50m VGS=-1.8V, ID=-2A 65m Features 1.8V gate rated Advanced trench process technology High density cell desig

 9.1. Size:340K  cystek
 mtp3403n3.pdf pdf_icon

MTP3415KN3

Spec. No. C422N3 Issued Date 2007.10.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.24 Page No. 1/8 P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V MTP3403N3 ID -3.7A RDSON@VGS=-10V, ID=-3A 52m (typ) RDSON@VGS=-4.5V,ID=-2.6A 76m (typ) Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced trench process technology High densit

 9.2. Size:392K  cystek
 mtp3403an3.pdf pdf_icon

MTP3415KN3

Spec. No. C387N3 Issued Date 2007.06.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.11.29 Page No. 1/7 P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP3403AN3 Features V =-30V DS @V =-4.5V, I =-2A R =85m GS DS DS(ON) @V =-2.5V, I =-1A R =120m GS DS DS(ON) Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on resistance Low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTP2611V8, MTP2955L3, MTP3001N3, MTP3401N3, MTP3403AN3, MTP3403KN3, MTP3403N3, MTP3413N3, AON6414A, MTP3J15N3, MTP3J15Y3, MTP3LP01N3, MTP3LP01S3, MTP3LP01Y3, MTP405CJ3, MTP405J3, MTP4060J3