MTP4403Q8 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MTP4403Q8  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MTP4403Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP4403Q8 даташит

 ..1. Size:622K  cystek
 mtp4403q8.pdf pdf_icon

MTP4403Q8

Spec. No. C791Q8 Issued Date 2010.07.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.21 Page No. 1/7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30V MTP4403Q8 RDSON(MAX) 50m ID -6.1A Description The MTP4403Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

 7.1. Size:621K  cystek
 mtp4403sq8.pdf pdf_icon

MTP4403Q8

Spec. No. C804Q8 Issued Date 2009.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.21 Page No. 1/7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20V MTP4403SQ8 RDSON(MAX) 46m ID -6.1A Description The MTP4403SQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistan

 8.1. Size:284K  cystek
 mtp4409h8.pdf pdf_icon

MTP4403Q8

Spec. No. C808H8 Issued Date 2013.09.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP4409H8 ID -15A 7.3m VGS=-10V, ID=-15A RDSON(TYP) 11m VGS=-4.5V, ID=-10A Description The MTP4409H8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast swi

 8.2. Size:336K  cystek
 mtp4409q8.pdf pdf_icon

MTP4403Q8

Spec. No. C808Q8 Issued Date 2012.04.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.05.16 Page No. 1/9 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30V MTP4409Q8 ID -15A RDSON@VGS=-10V, ID=-15A 7.7m (typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-10A 11.4m (typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free and Halogen-free

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTP3J15Y3, MTP3LP01N3, MTP3LP01S3, MTP3LP01Y3, MTP405CJ3, MTP405J3, MTP4060J3, MTP4151N3, STP75NF75, MTP4403SQ8, MTP4409H8, MTP4409Q8, MTP4411AQ8, MTP4411M3, MTP4411Q8, MTP4413Q8, MTP4423Q8