MTP4835V8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP4835V8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для MTP4835V8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP4835V8 даташит

 ..1. Size:363K  cystek
 mtp4835v8.pdf pdf_icon

MTP4835V8

Spec. No. C830V8 Issued Date 2013.01.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP4835V8 ID -33A 16m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-10A 25m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-7A Description The MTP4835V8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of

 7.1. Size:335K  cystek
 mtp4835l3.pdf pdf_icon

MTP4835V8

Spec. No. C830L3 Issued Date 2013.02.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTP4835L3 BVDSS -30V ID -10A 21m (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 28m (typ) RDSON@VGS=-5V, ID=-7A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equivalen

 7.2. Size:305K  cystek
 mtp4835aq8.pdf pdf_icon

MTP4835V8

Spec. No. C830Q8 Issued Date 2012.09.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.30 Page No. 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30V MTP4835AQ8 ID -10A RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 18m (typ) RDSON@VGS=-4.5V,ID=-6A 27m (typ) Description The MTP4835AQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast s

 7.3. Size:301K  cystek
 mtp4835q8.pdf pdf_icon

MTP4835V8

Spec. No. C830Q8 Issued Date 2012.06.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30V MTP4835Q8 ID -10A RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 17m (typ) RDSON@VGS=-4.5V,ID=-6A 26m (typ) Description The MTP4835Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, rug

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTP4423Q8, MTP4435V8, MTP4463Q8, MTP452L3, MTP452M3, MTP4835AQ8, MTP4835L3, MTP4835Q8, 5N65, MTP5103J3, MTP5103N3, MTP5210F3, MTP5614N6, MTP6405N6, MTP658G6, MTP7425Q8, MTP9006E3