Справочник MOSFET. AO3160

 

AO3160 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO3160
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.04 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 500 Ohm
   Тип корпуса: SOT23A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AO3160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  aosemi
 ao3160.pdf pdf_icon

AO3160

AO3160600V,0.04A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO3160 is fabricated using an advanced high voltageMOSFET process that is designed to deliver high levels VDS 700V@150of performance and robustness in popular AC-DC ID (at VGS=10V) 0.04Aapplications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:550K  aosemi
 ao3160e.pdf pdf_icon

AO3160

AO3160E600V,0.04A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Logic Level Driving 4.5V VDS @ Tj,max 700V ESD Protection ID (at VGS=10V) 0.04A RoHS and Halogen Free Compliant RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:256K  aosemi
 ao3162.pdf pdf_icon

AO3160

AO3162600V,0.034A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO3162 is fabricated using an advanced high voltageMOSFET process that is designed to deliver high levels VDS 700V@150of performance and robustness in popular AC-DC ID (at VGS=10V) 0.034Aapplications. RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: OSG65R380DF | 2SK3430-ZJ | VB2355 | R6535KNZ1 | AP4604AI | AON7520 | VSE002N03MS-G

 

 
Back to Top

 


 
.