AO3415A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO3415A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AO3415A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO3415A даташит

 ..1. Size:319K  aosemi
 ao3415a.pdf pdf_icon

AO3415A

AO3415A 20V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -20V The AO3415A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=-4.5V) -5A with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable RDS(ON) (at VGS= -4.5V)

 ..2. Size:1729K  kexin
 ao3415a.pdf pdf_icon

AO3415A

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO3415A (KO3415A) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 VDS (V) =-20V ID =-5 A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 43m (VGS =-4.5V) 1 2 +0.1 0.95-0.1 0.1+0.05 RDS(ON) 55m (VGS =-2.5V) -0.01 +0.1 1.9-0.1 RDS(ON) 75m (VGS =-1.8V) RDS(ON) 100m (VGS =-1.5V) 1. Gate 2. Source D 3. Dra

 ..3. Size:459K  umw-ic
 ao3415a.pdf pdf_icon

AO3415A

R UMW UMW AO3415A SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS UMW AO3415A P-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-23 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 50m @-4.5V -20V 60m @-2.5V -4A 1. GATE 73m @-1.8V 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE Load switch and in PWM applicatopns Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltages MARKING Equivalent Circuit D G AFHV S Maximum ratings

 ..4. Size:868K  cn vbsemi
 ao3415a.pdf pdf_icon

AO3415A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AO3404, AO3404A, AO3406, AO3407A, AO3409, AO3413, AO3414, AO3415, AO3400A, AO3416, AO3418, AO3419, AO3420, AO3421, AO3421E, AO3422, AO3423