Справочник MOSFET. AO3421

 

AO3421 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO3421
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AO3421 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  aosemi
 ao3421.pdf pdf_icon

AO3421

AO342130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AO3421 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate charge. This device is ID (at VGS=-10V) -2.6Asuitable for use as a load switch or in PWM applications. RDS(ON) (at VGS=-10V)

 ..2. Size:1030K  kexin
 ao3421.pdf pdf_icon

AO3421

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO3421 (KO3421)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.1 Features 3 VDS (V) =-30V ID =-2.6 A (VGS =-10V) RDS(ON) 110m (VGS =-10V) 1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01 RDS(ON) 180m (VGS =-4.5V)+0.11.9 -0.1D1. Gate2. Source3. DrainGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ratin

 0.1. Size:309K  aosemi
 ao3421e.pdf pdf_icon

AO3421

AO3421E30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AO3421E combines advanced trench MOSFET -30Vtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-10V) -3Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-10V)

 0.2. Size:1856K  kexin
 ao3421e-3.pdf pdf_icon

AO3421

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO3421E (KO3421E)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-30V ID =-3 A (VGS =-10V)1 2 RDS(ON) 95m (VGS =-10V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 160m (VGS =-4.5V)1. GateD 2. Source3. DrainGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXTI76N25T | SI7913DN | FTK3N80F | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F

 

 
Back to Top

 


 
.