Справочник MOSFET. AO3423

 

AO3423 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AO3423
   Маркировка: AS3TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для AO3423

 

 

AO3423 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  aosemi
 ao3423.pdf

AO3423 AO3423

AO342320V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS -20VThe AO3423 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=-10V) -2Avoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as RDS(ON) (at VGS= -10V)

 ..2. Size:717K  shenzhen
 ao3423.pdf

AO3423 AO3423

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd AO3423AO3423P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO3423 uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = -2 A (VGS = -10V)operation with gate voltages as low as 2.5V. This RDS(ON)

 ..3. Size:1760K  kexin
 ao3423.pdf

AO3423 AO3423

SMD TypeAO3423 (KO3423)SOT-23Unit: mm+0.22.9-0.2+0.10.4 -0.0531 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.011.9+0.2-0.2D ESD Rating: 2000V HBMG 1. Gate2. Source3. DrainS 0.4+0.2+0.22.8-0.21.6-0.10.55+0.21.1-0.1+0.10-0.10.38-0.1SMD TypeAO3423 (KO3423)TestconditionsAS*SMD TypeAO3423 (KO3423)1015-10.0V-4.0VVDS=-5V-8

 ..4. Size:868K  cn vbsemi
 ao3423.pdf

AO3423 AO3423

AO3423www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 0.1. Size:1969K  kexin
 ao3423-3.pdf

AO3423 AO3423

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET AO3423 (KO3423)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-20V ID =-2.0 A (VGS =-10V)D1 2 RDS(ON) 92m (VGS =-10V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 118m (VGS =-4.5V) +0.11.9 -0.2 RDS(ON) 166m (VGS =-2.5V)G1. Gate2. Source3. DrainS Abso

 0.2. Size:388K  umw-ic
 ao3423a.pdf

AO3423 AO3423

RUMW UMW AO3423ASOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS P-Channel 20-V(D-S) MOSFETAO3423AV(BR)DSS RDS(on)MAX ID120m@-4.5V-20 V -2A150m@-2.5VFEATUREAPPLICATION TrenchFET Power MOSFET Load Switch for Portable Devices ESD Protected 2.0KV DC/DC ConverterMARKINGEquivalent Circuit SOT23 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Maximum ratings ( Ta=25 un

 0.3. Size:2456K  anbon
 ao3423b.pdf

AO3423 AO3423

P-Channel MOSFET AO3423BSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS Dimensions In Millimeters Dimensions In InchesSymbolMin Max Min MaxA 0.900 1.150 0.035 0.045A1 0.000 0.100 0.000 0.004A2 0.900 1.050 0.035 0.041b 0.300 0.500 0.012 0.020c 0.080 0.150 0.003 0.006D 2.800 3.000 0.110 0.118E 1.200 1.400 0.047 0.055E1 2.250 2.550 0.089 0.100e 0

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top