AO4260. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO4260

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AO4260

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4260 даташит

 ..1. Size:338K  aosemi
ao4260.pdfpdf_icon

AO4260

AO4260 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 60V The AO4260 uses trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 18A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:1746K  kexin
ao4260.pdfpdf_icon

AO4260

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4260 (KO4260) SOP-8 Features VDS (V) = 60V ID = 18 A (VGS = 10V) RDS(ON) 5.2m (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 6.3m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source D 8 Drain 4 Gate G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gat

 9.1. Size:388K  aosemi
ao4262e.pdfpdf_icon

AO4260

 9.2. Size:377K  aosemi
ao4268.pdfpdf_icon

AO4260

AO4268 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 19A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AO3434, AO3434A, AO3435, AO3438, AO3442, AO3460, AO4202, AO4240, 60N06, AO4264, AO4266, AO4286, AO4292, AO4302, AO4304, AO4310, AO4312