AO4266 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

AO4266. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO4266

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AO4266

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

AO4266 даташит

..1. Size:389K aosemi
ao4266.pdf pdf_icon

AO4266 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 10A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:2186K kexin
ao4266.pdf pdf_icon

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4266 (KO4266) SOP-8 Features VDS (V) = 60V ID = 10 A (VGS = 10V) RDS(ON) 15m (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 19m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-

0.1. Size:383K aosemi
ao4266e.pdf pdf_icon

AO4266E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 11A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

9.1. Size:388K aosemi
ao4262e.pdf pdf_icon