AO4403 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

AO4403. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO4403

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AO4403

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

AO4403 даташит

..1. Size:369K aosemi
ao4403.pdf pdf_icon

AO4403 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V The AO4403 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=-10V) -6A voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as RDS(ON) (at VGS=-10V)

..2. Size:1374K kexin
ao4403.pdf pdf_icon

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO4403 (KO4403) SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-6 A (VGS =-10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 48m (VGS =-10V) RDS(ON) 57m (VGS =-4.5V) 1 Source 5 Drain RDS(ON) 80m (VGS =-2.5V) 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Dr

9.1. Size:332K aosemi
ao4407c.pdf pdf_icon

AO4407C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -14A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

9.2. Size:378K aosemi
ao4405.pdf pdf_icon

AO4405 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V The AO4405 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is ID (at VGS=-10V) -6A suitable for use as a load switch or in PWM applications. RDS(ON) (at VGS=-10V)