Справочник MOSFET. AO4476A

 

AO4476A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO4476A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0077 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4476A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:365K  aosemi
 ao4476a.pdf pdf_icon

AO4476A

AO4476A 30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO4476A combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 15Aextremely low RDS(ON). This device is suitable for use as a RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:2008K  kexin
 ao4476a.pdf pdf_icon

AO4476A

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4476A (KO4476A)SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 15 A (VGS = 10V) RDS(ON) 7.7m (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 10.8m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V

 8.1. Size:1222K  kexin
 ao4476.pdf pdf_icon

AO4476A

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4476 (KO4476)SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 15 A (VGS = 10V) RDS(ON) 10.5m (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 17m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V Ga

 9.1. Size:158K  aosemi
 ao4472.pdf pdf_icon

AO4476A

AO4472 N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionFeaturesThe AO4472 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = 30Vexcellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode www.DataSheet4U.comID = 19A (VGS = 10V)characteristics and ultra-low gate resistance. This device is RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.