Справочник MOSFET. AO4476A

 

AO4476A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO4476A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0077 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AO4476A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4476A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:365K  aosemi
ao4476a.pdfpdf_icon

AO4476A

AO4476A 30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO4476A combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 15Aextremely low RDS(ON). This device is suitable for use as a RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:2008K  kexin
ao4476a.pdfpdf_icon

AO4476A

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4476A (KO4476A)SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 15 A (VGS = 10V) RDS(ON) 7.7m (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 10.8m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V

 8.1. Size:1222K  kexin
ao4476.pdfpdf_icon

AO4476A

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4476 (KO4476)SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 15 A (VGS = 10V) RDS(ON) 10.5m (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 17m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V Ga

 9.1. Size:158K  aosemi
ao4472.pdfpdf_icon

AO4476A

AO4472 N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionFeaturesThe AO4472 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = 30Vexcellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode www.DataSheet4U.comID = 19A (VGS = 10V)characteristics and ultra-low gate resistance. This device is RDS(ON)

Другие MOSFET... AO4450 , AO4452 , AO4453 , AO4454 , AO4455 , AO4459 , AO4466 , AO4468 , IRF530 , AO4478 , AO4480 , AO4482 , AO4484 , AO4485 , AO4486 , AO4488 , AO4490 .

History: SSM6J503NU | JCS12N65CEI | SQ2337ES | AP6901GSM-HF | AON7518 | BRCS080N02ZJ | 2SK346

 

 
Back to Top

 


 
.