AO4478. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO4478

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AO4478

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4478 даташит

 ..1. Size:192K  aosemi
ao4478.pdfpdf_icon

AO4478

AO4478 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AO4478 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V provide excellent RDS(ON), low gate charge. This ID = 9A (VGS = 10V) device is suitable for use as general puspose, PWM and RDS(ON)

 ..2. Size:1096K  kexin
ao4478.pdfpdf_icon

AO4478

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4478 (KO4478) SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 9 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 19m (VGS = 10V) RDS(ON) 26m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-S

 9.1. Size:158K  aosemi
ao4472.pdfpdf_icon

AO4478

AO4472 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO4472 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = 30V excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode www.DataSheet4U.com ID = 19A (VGS = 10V) characteristics and ultra-low gate resistance. This device is RDS(ON)

 9.2. Size:129K  aosemi
ao4474.pdfpdf_icon

AO4478

AO4474 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO4474/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge.This device VDS (V) = 30V is suitable for use as a high side switch in SMPS and ID = 13.4A (VGS = 10V) general purpose applications. RDS(ON)

Другие IGBT... AO4452, AO4453, AO4454, AO4455, AO4459, AO4466, AO4468, AO4476A, IRFB3607, AO4480, AO4482, AO4484, AO4485, AO4486, AO4488, AO4490, AO4494