AO4712. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO4712

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AO4712

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4712 даташит

 ..1. Size:278K  aosemi
ao4712.pdfpdf_icon

AO4712

AO4712 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary VDS 30V SRFETTM AO4712 uses advanced trench technology with ID (at VGS=10V) 13A a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:2034K  kexin
ao4712.pdfpdf_icon

AO4712

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4712 (KO4712) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = 30V ID = 13 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 11m (VGS = 10V) RDS(ON) 14m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source SRFETTM Soft Recovery MOSFET Integrated Schottky Diode 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25

 9.1. Size:187K  aosemi
ao4718.pdfpdf_icon

AO4712

AO4718 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Features TM SRFET The AO4718 uses advanced trench VDS (V) = 30V technology with a monolithically integrated ID =15A (VGS = 10V) Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is suitable for use RDS(ON)

 9.2. Size:172K  aosemi
ao4714.pdfpdf_icon

AO4712

AO4714 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary TM SRFET AO4714 uses advanced trench technology VDS (V) = 30V with a monolithically integrated Schottky diode to ID =20A (VGS = 10V) provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is suitable for use as a low side FET in SMPS, RDS(ON)

Другие IGBT... AO4616, AO4618, AO4620, AO4622, AO4627, AO4629, AO4706, AO4710, AO3400A, AO4714, AO4718, AO4720, AO4724, AO4752, AO4771, AO4800, AO4800B