Справочник MOSFET. AO4712

 

AO4712 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO4712
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AO4712

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4712 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  aosemi
ao4712.pdfpdf_icon

AO4712

AO471230V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryVDS30VSRFETTM AO4712 uses advanced trench technology with ID (at VGS=10V) 13Aa monolithically integrated Schottky diode to provideexcellent RDS(ON),and low gate charge. This device is RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:2034K  kexin
ao4712.pdfpdf_icon

AO4712

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4712 (KO4712)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 13 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 11m (VGS = 10V) RDS(ON) 14m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 SourceSRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode7 Drain3 Source8 Drain4 GateDG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25

 9.1. Size:187K  aosemi
ao4718.pdfpdf_icon

AO4712

AO471830V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description FeaturesTMSRFET The AO4718 uses advanced trenchVDS (V) = 30Vtechnology with a monolithically integratedID =15A (VGS = 10V)Schottky diode to provide excellent RDS(ON),andlow gate charge. This device is suitable for use RDS(ON)

 9.2. Size:172K  aosemi
ao4714.pdfpdf_icon

AO4712

AO471430V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryTMSRFET AO4714 uses advanced trench technologyVDS (V) = 30Vwith a monolithically integrated Schottky diode toID =20A (VGS = 10V)provide excellent RDS(ON),and low gate charge. Thisdevice is suitable for use as a low side FET in SMPS, RDS(ON)

Другие MOSFET... AO4616 , AO4618 , AO4620 , AO4622 , AO4627 , AO4629 , AO4706 , AO4710 , RU6888R , AO4714 , AO4718 , AO4720 , AO4724 , AO4752 , AO4771 , AO4800 , AO4800B .

History: HAT2168H | LNH06R140 | RQA0010UXAQS | OSG60R035HF | LSB60R030HT | IXTK60N50L2 | RTR030P02TL

 

 
Back to Top

 


 
.