Справочник MOSFET. AO4718

 

AO4718 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO4718
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 382 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AO4718

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4718 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  aosemi
ao4718.pdfpdf_icon

AO4718

AO471830V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description FeaturesTMSRFET The AO4718 uses advanced trenchVDS (V) = 30Vtechnology with a monolithically integratedID =15A (VGS = 10V)Schottky diode to provide excellent RDS(ON),andlow gate charge. This device is suitable for use RDS(ON)

 ..2. Size:1819K  kexin
ao4718.pdfpdf_icon

AO4718

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFETAO4718 (KO4718)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 15 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 9m (VGS = 10V) RDS(ON) 14m (VGS = 4.5V)SRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25

 9.1. Size:278K  aosemi
ao4712.pdfpdf_icon

AO4718

AO471230V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryVDS30VSRFETTM AO4712 uses advanced trench technology with ID (at VGS=10V) 13Aa monolithically integrated Schottky diode to provideexcellent RDS(ON),and low gate charge. This device is RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:172K  aosemi
ao4714.pdfpdf_icon

AO4718

AO471430V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryTMSRFET AO4714 uses advanced trench technologyVDS (V) = 30Vwith a monolithically integrated Schottky diode toID =20A (VGS = 10V)provide excellent RDS(ON),and low gate charge. Thisdevice is suitable for use as a low side FET in SMPS, RDS(ON)

Другие MOSFET... AO4620 , AO4622 , AO4627 , AO4629 , AO4706 , AO4710 , AO4712 , AO4714 , IRFZ48N , AO4720 , AO4724 , AO4752 , AO4771 , AO4800 , AO4800B , AO4801 , AO4801A .

History: LSD60R1K4HT | CES2308 | GP1M018A020XX | PMPB20UN | CHM3120JGP | 2SK1099 | TF3410

 

 
Back to Top

 


 
.