Справочник MOSFET. AO4718

 

AO4718 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO4718
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 382 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4718 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  aosemi
ao4718.pdfpdf_icon

AO4718

AO471830V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description FeaturesTMSRFET The AO4718 uses advanced trenchVDS (V) = 30Vtechnology with a monolithically integratedID =15A (VGS = 10V)Schottky diode to provide excellent RDS(ON),andlow gate charge. This device is suitable for use RDS(ON)

 ..2. Size:1819K  kexin
ao4718.pdfpdf_icon

AO4718

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFETAO4718 (KO4718)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 15 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 9m (VGS = 10V) RDS(ON) 14m (VGS = 4.5V)SRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25

 9.1. Size:278K  aosemi
ao4712.pdfpdf_icon

AO4718

AO471230V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryVDS30VSRFETTM AO4712 uses advanced trench technology with ID (at VGS=10V) 13Aa monolithically integrated Schottky diode to provideexcellent RDS(ON),and low gate charge. This device is RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:172K  aosemi
ao4714.pdfpdf_icon

AO4718

AO471430V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryTMSRFET AO4714 uses advanced trench technologyVDS (V) = 30Vwith a monolithically integrated Schottky diode toID =20A (VGS = 10V)provide excellent RDS(ON),and low gate charge. Thisdevice is suitable for use as a low side FET in SMPS, RDS(ON)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IPP120N06S4-H1 | TPU65R1K5M | IRF9540PBF | PTP11N40 | MDI5N40RH | OSG80R380DF | IRFD224PBF

 

 
Back to Top

 


 
.