AO4718 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AO4718
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 9.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 382 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: SO-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AO4718 Datasheet (PDF)
ao4718.pdf

AO471830V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description FeaturesTMSRFET The AO4718 uses advanced trenchVDS (V) = 30Vtechnology with a monolithically integratedID =15A (VGS = 10V)Schottky diode to provide excellent RDS(ON),andlow gate charge. This device is suitable for use RDS(ON)
ao4718.pdf

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFETAO4718 (KO4718)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 15 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 9m (VGS = 10V) RDS(ON) 14m (VGS = 4.5V)SRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25
ao4712.pdf

AO471230V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryVDS30VSRFETTM AO4712 uses advanced trench technology with ID (at VGS=10V) 13Aa monolithically integrated Schottky diode to provideexcellent RDS(ON),and low gate charge. This device is RDS(ON) (at VGS=10V)
ao4714.pdf

AO471430V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryTMSRFET AO4714 uses advanced trench technologyVDS (V) = 30Vwith a monolithically integrated Schottky diode toID =20A (VGS = 10V)provide excellent RDS(ON),and low gate charge. Thisdevice is suitable for use as a low side FET in SMPS, RDS(ON)
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IPP120N06S4-H1 | TPU65R1K5M | IRF9540PBF | PTP11N40 | MDI5N40RH | OSG80R380DF | IRFD224PBF
History: IPP120N06S4-H1 | TPU65R1K5M | IRF9540PBF | PTP11N40 | MDI5N40RH | OSG80R380DF | IRFD224PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979