AO4854 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AO4854 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
Тип корпуса: SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AO4854
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AO4854 даташит
ao4854.pdf
AO4854 30V Dual N-channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AO4854 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs ID (at VGS=10V) 8A make a compact and efficient switch and synchronous RDS(ON) (at VGS=10V)
ao4854.pdf
SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET AO4854 (KO4854) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = 30V ID = 8A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 19m (VGS = 10V) RDS(ON) 23m (VGS = 4.5V) 1 S2 5 D1 6 D1 2 G2 RDS(ON) 26m (VGS = 4V) 7 D2 3 S1 ESD Rating 2KV HBM 8 D2 4 G1 D1 D2 G1 G2 S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Paramete
ao4850.pdf
AO4850 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO4850 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = 75V excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs ID = 3.1A (VGS = 10V) may be used in H-bridge, Inverters and other applications. RDS(ON)
ao4852.pdf
AO4852 60V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AO4852 uses advanced trench technology to VDS (V) = 60V provide excellent RDS(ON) and low gate charge. As a pair ID = 3.5A (VGS = 10V) these MOSFETs operate very efficiently in Push Pull RDS(ON)
Другие IGBT... AO4828, AO4830, AO4832, AO4838, AO4840, AO4842, AO4850, AO4852, IRLZ44N, AO4862, AO4882, AO4884, AO4886, AO4892, AO4914, AO4922, AO4924
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: CEP140N10 | AP10N06D | HM60N02K | AGM025N08H | SFW097N200C3 | AP10N06MSI | CEP84A4
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet






