Справочник MOSFET. AO4914

 

AO4914 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AO4914
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0205 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для AO4914

 

 

AO4914 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:650K  aosemi
 ao4914.pdf

AO4914 AO4914

AO491430V Dual N-Channel MOSFET with Schottky DiodeGeneral Description Product SummaryThe AO4914 uses advanced trench technology to provideQ1(N-Channel) Q2(N-Channel)excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETsVDS= 30V 30Vmake a compact and efficient switch and synchronous ID= 8A (VGS=10V) 8A (VGS=10V)rectifier combination for use in DC-DC converters. A RDS(ON)

 ..2. Size:3080K  kexin
 ao4914.pdf

AO4914 AO4914

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4914 (KO4914)SOP-8 Unit:mm FeaturesN-Channel 1 VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 20.5m (VGS = 10V)1 S1/A 5 D2 RDS(ON) 28m (VGS = 4.5V)2 G1 6 D27 D1/K VDS (V) = 30V, IF = 3A, VF

 9.1. Size:651K  aosemi
 ao4916.pdf

AO4914 AO4914

AO491630V Dual N-Channel MOSFET with Schottky DiodeGeneral Description Product SummaryThe AO4916 uses advanced trench technology to provideQ1(N-Channel) Q2(N-Channel)excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETsVDS= 30V 30Vmake a compact and efficient switch and synchronous ID= 8A (VGS=10V) 8A (VGS=10V)rectifier combination for use in DC-DC converters. A RDS(ON)

 9.2. Size:370K  aosemi
 ao4916l.pdf

AO4914 AO4914

Rev 3: Nov 2004AO4916, AO4916L( Green Product )Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorwith Schottky DiodeGeneral Description FeaturesVDS (V) = 30VThe AO4916 uses advanced trench technology to ID = 8.5Aprovide excellent R DS(ON) and low gate charge. The RDS(ON)

 9.3. Size:2359K  kexin
 ao4912.pdf

AO4914 AO4914

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4912 (KO4912)SOP-8 Unit:mm FeaturesN-Channel 1 VDS (V) = 30V ID = 8.5 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 17m (VGS = 10V) RDS(ON) 25m (VGS = 4.5V)1 D2 5 D1/S2/K2 D2 6 D1/S2/K VDS (V) = 30V, IF = 3A, VF

 9.4. Size:2153K  kexin
 ao4918.pdf

AO4914 AO4914

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4918 (KO4918)SOP-8 Unit:mm FeaturesN-Channel 1 VDS (V) = 30V ID = 9.3 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 14.5m (VGS = 10V) RDS(ON) 16m (VGS = 4.5V)1 D2 5 D1/S2/K VDS (V) = 30V, IF = 3A, VF

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AO4906

 

 
Back to Top