AO4914. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO4914

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0205 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AO4914

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4914 даташит

 ..1. Size:650K  aosemi
 ao4914.pdf pdf_icon

AO4914

AO4914 30V Dual N-Channel MOSFET with Schottky Diode General Description Product Summary The AO4914 uses advanced trench technology to provide Q1(N-Channel) Q2(N-Channel) excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs VDS= 30V 30V make a compact and efficient switch and synchronous ID= 8A (VGS=10V) 8A (VGS=10V) rectifier combination for use in DC-DC converters. A RDS(ON)

 ..2. Size:3080K  kexin
 ao4914.pdf pdf_icon

AO4914

SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET AO4914 (KO4914) SOP-8 Unit mm Features N-Channel 1 VDS (V) = 30V 1.50 0.15 ID = 8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 20.5m (VGS = 10V) 1 S1/A 5 D2 RDS(ON) 28m (VGS = 4.5V) 2 G1 6 D2 7 D1/K VDS (V) = 30V, IF = 3A, VF

 9.1. Size:651K  aosemi
 ao4916.pdf pdf_icon

AO4914

AO4916 30V Dual N-Channel MOSFET with Schottky Diode General Description Product Summary The AO4916 uses advanced trench technology to provide Q1(N-Channel) Q2(N-Channel) excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs VDS= 30V 30V make a compact and efficient switch and synchronous ID= 8A (VGS=10V) 8A (VGS=10V) rectifier combination for use in DC-DC converters. A RDS(ON)

 9.2. Size:370K  aosemi
 ao4916l.pdf pdf_icon

AO4914

Rev 3 Nov 2004 AO4916, AO4916L( Green Product ) Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description Features VDS (V) = 30V The AO4916 uses advanced trench technology to ID = 8.5A provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AO4850, AO4852, AO4854, AO4862, AO4882, AO4884, AO4886, AO4892, IRF3710, AO4922, AO4924, AO4932, AO4938, AO4940, AO4948, AO4952, AO5401E