Справочник MOSFET. AO5804E

 

AO5804E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO5804E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: SC89-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AO5804E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  aosemi
 ao5804e.pdf pdf_icon

AO5804E

AO5804EDual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO5804E/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 0.5 A (VGS = 4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V. This RDS(ON)

 9.1. Size:159K  aosemi
 ao5800e.pdf pdf_icon

AO5804E

AO5800EDual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionFeaturesThe AO5800E uses advanced trench technology toVDS (V) = 60Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge, andID = 0.4A (VGS = 10V)operation with gate voltages as low as 4.5V, in theRDS(ON)

 9.2. Size:111K  aosemi
 ao5803e.pdf pdf_icon

AO5804E

AO5803EDual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO5803E/L uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge, andID = -0.6A (VGS = -4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V, in theRDS(ON)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.