Справочник MOSFET. AO6409A

 

AO6409A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AO6409A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для AO6409A

 

 

AO6409A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  aosemi
 ao6409a.pdf

AO6409A AO6409A

AO6409A20V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS -20VThe AO6409A uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=-4.5V) -5.5Awith gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable RDS(ON) (at VGS= -4.5V)

 ..2. Size:2011K  kexin
 ao6409a.pdf

AO6409A AO6409A

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO6409A (KO6409A)( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features VDS (V) =-20V6 5 4 ID =-5.5A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 41m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 53m (VGS =-2.5V)2 31 RDS(ON) 65m (VGS =-1.8V)+0.020.15 -0.02+0.01 ESD Rating: 2000V HBM -0.01+0.2-0.1D1 Drain 4 Source2 Drain 5 Drain3 Gat

 8.1. Size:330K  aosemi
 ao6409.pdf

AO6409A AO6409A

AO640920V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS -20VThe AO6409 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=-4.5V) -5.5Avoltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as RDS(ON) (at VGS= -4.5V)

 8.2. Size:1740K  kexin
 ao6409.pdf

AO6409A AO6409A

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO6409 (KO6409)( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features VDS (V) =-20V6 5 4 ID =-5.5A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 41m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 53m (VGS =-2.5V)2 31 RDS(ON) 65m (VGS =-1.8V)+0.020.15 -0.02+0.01 ESD Rating: 2000V HBM -0.01+0.2-0.1D1 Drain 4 Source2 Drain 5 Drain3 Gate

 8.3. Size:834K  cn vbsemi
 ao6409.pdf

AO6409A AO6409A

AO6409www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET- 30 5.1 nC0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop V iew1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mmP-Chan

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AO6801 | SFS04R013UGF

 

 
Back to Top