FSS430R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSS430R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

Аналог (замена) для FSS430R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSS430R даташит

 8.1. Size:46K  intersil
 fss430.pdf pdf_icon

FSS430R

FSS430D, FSS430R 3A, 500V, 2.70 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features Description 3A, 500V, rDS(ON) = 2.70 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)

Другие IGBT... FSS230R, FSS234D, FSS234R, FSS23A4D, FSS23A4R, FSS23AOD, FSS23AOR, FSS430D, IRFP450, FSS9130D, FSS9130R, FSS913AOD, FSS913AOR, FSS9230D, FSS9230R, FSS923AOD, FSS923AOR