Справочник MOSFET. FSS430R

 

FSS430R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FSS430R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA
 

 Аналог (замена) для FSS430R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSS430R Datasheet (PDF)

 8.1. Size:46K  intersil
 fss430.pdf pdf_icon

FSS430R

FSS430D, FSS430R3A, 500V, 2.70 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsFeatures Description 3A, 500V, rDS(ON) = 2.70 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)

Другие MOSFET... FSS230R , FSS234D , FSS234R , FSS23A4D , FSS23A4R , FSS23AOD , FSS23AOR , FSS430D , IRF1407 , FSS9130D , FSS9130R , FSS913AOD , FSS913AOR , FSS9230D , FSS9230R , FSS923AOD , FSS923AOR .

History: FDC6302P | IXTH120P065T | 4N65

 

 
Back to Top

 


 
.