AO6801 - описание и поиск аналогов

 

AO6801. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO6801

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 2.8 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для AO6801

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO6801 даташит

 ..1. Size:270K  aosemi
ao6801.pdfpdf_icon

AO6801

AO6801 30V Dual P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V The AO6801 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This ID (at VGS=-10V) -2.3A device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON) (at VGS =-10V)

 ..2. Size:1386K  kexin
ao6801.pdfpdf_icon

AO6801

SMD Type MOSFET Dual P-Channel MOSFET AO6801 (KO6801) ( ) SOT-23-6 Unit mm 0.4+0.1 -0.1 Features 6 5 4 VDS (V) =-30V ID =-2.3A (VGS =-10V) RDS(ON) 115m (VGS =-10V) RDS(ON) 150m (VGS =-4.5V) 2 3 1 RDS(ON) 200m (VGS =-2.5V) +0.02 0.15 -0.02 +0.01 -0.01 +0.2 -0.1 D1 D2 1 Gate1 4 Drain2 2 Source2 5 Source1 3 Gate2 6 Drain1 G1

 0.1. Size:331K  aosemi
ao6801a.pdfpdf_icon

AO6801

AO6801A 30V Dual P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V The AO6801A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This ID (at VGS=-10V) -2.3A device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON) (at VGS =-10V)

 0.2. Size:303K  aosemi
ao6801e.pdfpdf_icon

AO6801

AO6801E 30V Dual P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V The AO6801E combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-10V) -2A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-10V)

Другие MOSFET... AO6422 , AO6424 , AO6424A , AO6432 , AO6601 , AO6602 , AO6604 , AO6800 , AON7506 , AO6801A , AO6801E , AO6802 , AO6804A , AO6808 , AO6810 , AO7400 , AO7401 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.