FSS9130D - аналоги и даташиты транзистора

 

FSS9130D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FSS9130D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.66 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA
 

 Аналог (замена) для FSS9130D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSS9130D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:44K  intersil
 fss9130.pdf pdf_icon

FSS9130D

FSS9130D,FSS9130R6A, -100V, 0.660 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 6A, -100V, rDS(ON) = 0.660 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RA

 8.1. Size:65K  intersil
 fss913ao.pdf pdf_icon

FSS9130D

FSS913A0D, FSS913A0RData Sheet June 1999 File Number 4451.310A, -100V, 0.280 Ohm, Radiation FeaturesHardened, SEGR Resistant, P-Channel 10A, -100V, rDS(ON) = 0.280Power MOSFETs Total DoseThe Discrete Products Operation of Intersil has developed a- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)series of Radiation Hardened MOSFETs specificallydesigned for commercial an

Другие MOSFET... FSS234D , FSS234R , FSS23A4D , FSS23A4R , FSS23AOD , FSS23AOR , FSS430D , FSS430R , 13N50 , FSS9130R , FSS913AOD , FSS913AOR , FSS9230D , FSS9230R , FSS923AOD , FSS923AOR , FSYA250D .

History: IRFD214PBF | 2N7002K1 | IRF3711Z | NCE70T540I | HMS10N60I | NCE80T560F

 

 
Back to Top

 


 
.