FSS9130D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSS9130D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.66 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

Аналог (замена) для FSS9130D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSS9130D даташит

 7.1. Size:44K  intersil
 fss9130.pdf pdf_icon

FSS9130D

FSS9130D, FSS9130R 6A, -100V, 0.660 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs Features Description 6A, -100V, rDS(ON) = 0.660 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RA

 8.1. Size:65K  intersil
 fss913ao.pdf pdf_icon

FSS9130D

FSS913A0D, FSS913A0R Data Sheet June 1999 File Number 4451.3 10A, -100V, 0.280 Ohm, Radiation Features Hardened, SEGR Resistant, P-Channel 10A, -100V, rDS(ON) = 0.280 Power MOSFETs Total Dose The Discrete Products Operation of Intersil has developed a - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) series of Radiation Hardened MOSFETs specifically designed for commercial an

Другие IGBT... FSS234D, FSS234R, FSS23A4D, FSS23A4R, FSS23AOD, FSS23AOR, FSS430D, FSS430R, TK10A60D, FSS9130R, FSS913AOD, FSS913AOR, FSS9230D, FSS9230R, FSS923AOD, FSS923AOR, FSYA250D