Справочник MOSFET. AO9926B

 

AO9926B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO9926B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AO9926B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO9926B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  aosemi
 ao9926b.pdf pdf_icon

AO9926B

AO9926B20V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS20VThe AO9926B uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=10V) 7.6Awith gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:1145K  aosemi
 ao9926c.pdf pdf_icon

AO9926B

AO9926C20V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AO9926C uses advanced trench technology to 20V7.6Aprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=10V)with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V

Другие MOSFET... AO8807 , AO8808A , AO8810 , AO8814 , AO8818 , AO8820 , AO8822 , AO8830 , 8N60 , AO9926C , AOB10N60 , AOB10T60P , AOB1100L , AOB11C60 , AOB11N60 , AOB11S60 , AOB11S65 .

History: TPC60R150C | BRCS065N08SHRA | HUFA75337G3

 

 
Back to Top

 


 
.