FSYA250R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSYA250R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SMD1

Аналог (замена) для FSYA250R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSYA250R даташит

 7.1. Size:54K  intersil
 fsya250.pdf pdf_icon

FSYA250R

FSYA250D, FSYA250R 27A, 200V, 0.100 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features Description 27A, 200V, rDS(ON) = 0.100 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RA

Другие IGBT... FSS9130R, FSS913AOD, FSS913AOR, FSS9230D, FSS9230R, FSS923AOD, FSS923AOR, FSYA250D, RFP50N06, GFB50N03, GFB70N03, GFD30N03, GFP50N03, GFP70N03, H5N2001LD, H5N2001LS, H5N2503P