Справочник MOSFET. FSYA250R

 

FSYA250R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FSYA250R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SMD1
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FSYA250R Datasheet (PDF)

 7.1. Size:54K  intersil
 fsya250.pdf pdf_icon

FSYA250R

FSYA250D,FSYA250R27A, 200V, 0.100 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsFeatures Description 27A, 200V, rDS(ON) = 0.100 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RA

Другие MOSFET... FSS9130R , FSS913AOD , FSS913AOR , FSS9230D , FSS9230R , FSS923AOD , FSS923AOR , FSYA250D , 7N60 , GFB50N03 , GFB70N03 , GFD30N03 , GFP50N03 , GFP70N03 , H5N2001LD , H5N2001LS , H5N2503P .

History: PJM2301PSA-S | PJA3400 | IRFS820 | BUK444-200B | AP73T02GH-HF | IXTH10P50P | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.