AOC2413. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AOC2413
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.55 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 8 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: ALPHADFN1.57X1.57
Аналог (замена) для AOC2413
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AOC2413 даташит
aoc2413.pdf
AOC2413 8V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -8V The AOC2413 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=-2.5V) -3.5A with gate voltages as low as 1.2V while retaining a 5V RDS(ON) (at VGS=-2.5V)
aoc2414.pdf
AOC2414 8V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 8V The AOC2414 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=2.5V) 4.5A with gate voltages as low as 1.2V while retaining a 5V RDS(ON) (at VGS=2.5V)
aoc2417.pdf
AOC2417 20V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -20V The AOC2417 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=-10V) -3.5A with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V RDS(ON) (at VGS=-10V)
aoc2415.pdf
AOC2415 20V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -20V The AOC2415 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=-4.5V) -3.5A with gate voltages as low as 1.5V while retaining a 8V RDS(ON) (at VGS=-4.5V)
Другие MOSFET... AOB482L , AOB4S60 , AOB7S60 , AOB7S65 , AOC2401 , AOC2403 , AOC2411 , AOC2412 , BS170 , AOC2414 , AOC2415 , AOC2417 , AOC2421 , AOC2422 , AOC2423 , AOC2800 , AOC2802 .
History: LSE55R140GT | MTE050N15BRV8 | SIHP120N60E
History: LSE55R140GT | MTE050N15BRV8 | SIHP120N60E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet






