Справочник MOSFET. AOD11S60

 

AOD11S60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOD11S60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.399 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для AOD11S60

 

 

AOD11S60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  aosemi
 aod11s60.pdf

AOD11S60 AOD11S60

AOD11S60/AOI11S60TM600V 11A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOD11S60 & AOI11S60 have been fabricated usingthe advanced MOSTM high voltage process that is IDM 45Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON),max 0.399robustness in switching applications. Qg,typ 11nCBy providing low RDS(on), Qg and

 ..2. Size:264K  inchange semiconductor
 aod11s60.pdf

AOD11S60 AOD11S60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD11S60FEATURESDrain Current I = 11A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.399(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top