Справочник MOSFET. AOD3N80

 

AOD3N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD3N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AOD3N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD3N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  aosemi
aod3n80.pdfpdf_icon

AOD3N80

AOD3N80800V,2.8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD3N80 has been fabricated using an advancedhigh voltage MOSFET process that is designed to deliver VDS 900V@150high levels of performance and robustness in popular AC- ID (at VGS=10V) 2.8ADC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
aod3n80.pdfpdf_icon

AOD3N80

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor AOD3N80FEATURESWith TO-252(DPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

 9.1. Size:276K  aosemi
aod3n60.pdfpdf_icon

AOD3N80

AOD3N60/AOU3N60600V,2.5A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD3N60 & AOU3N60 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that is VDS 700V@150designed to deliver high levels of performance and ID (at VGS=10V) 2.5Arobustness in popular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:389K  aosemi
aod3n40.pdfpdf_icon

AOD3N80

AOD3N40400V,2.6A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD3N40 has been fabricated using an advancedhigh voltage MOSFET process that is designed to deliver VDS 500V@150high levels of performance and robustness in popular AC- ID (at VGS=10V) 2.6ADC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOD2916 , AOD2922 , AOD2N100 , AOD2N60 , AOD2N60A , AOD3N40 , AOD3N50 , AOD3N60 , AO3407 , AOD3T40P , AOD403 , AOD407 , AOD409 , AOD4102 , AOD4120 , AOD4124 , AOD4126 .

History: TK5P60W5 | FHP100N03B | APTC80AM75SCG | FQA20N40 | IRLMS5703PBF | FHD80N08B | SFW072N150C2

 

 
Back to Top

 


 
.