AOD4102 - описание и поиск аналогов

 

AOD4102. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOD4102

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AOD4102

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD4102 даташит

 ..1. Size:291K  aosemi
aod4102.pdfpdf_icon

AOD4102

AOD4102/AOI4102 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AOD4102/AOI4102 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with ID (at VGS=10V) 19A low gate charge. This device is suitable for use in PWM, RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
aod4102.pdfpdf_icon

AOD4102

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD4102 FEATURES Drain Current I = 19A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =37m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose a

 8.1. Size:238K  aosemi
aod410.pdfpdf_icon

AOD4102

AOD410 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOD410 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This ID = 8A (VGS = 10V) device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON)

 8.2. Size:116K  aosemi
aod4100.pdfpdf_icon

AOD4102

AOD4100 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOD4100 uses advanced trench technology to VDS (V) = 25V provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and ID = 50A (VGS = 10V) body diode characteristics. This device is ideally suite RDS(ON)

Другие MOSFET... AOD3N40 , AOD3N50 , AOD3N60 , AOD3N80 , AOD3T40P , AOD403 , AOD407 , AOD409 , IRFZ44N , AOD4120 , AOD4124 , AOD4126 , AOD4128 , AOD4130 , AOD4132 , AOD4136 , AOD413A .

History: LSC60R125HT | APM8005K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.