Справочник MOSFET. AOD5N50

 

AOD5N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD5N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AOD5N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD5N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  aosemi
aod5n50.pdfpdf_icon

AOD5N50

AOD5N50500V,5A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD5N50 is fabricated using an advanced high 600V@150voltage MOSFET process that is designed to deliver high VDSlevels of performance and robustness in popular AC-DC ID (at VGS=10V)5Aapplications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
aod5n50.pdfpdf_icon

AOD5N50

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD5N50FEATURESDrain Current I = 5.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =1.6(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 9.1. Size:472K  aosemi
aod5n40.pdfpdf_icon

AOD5N50

AOD5N40/AOI5N40400V,4.2A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD5N40 & AOI5N40 have been fabricated using anadvanced high voltage MOSFET process that is designed VDS 500V@150to deliver high levels of performance and robustness in ID (at VGS=10V) 4.2Apopular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:265K  inchange semiconductor
aod5n40.pdfpdf_icon

AOD5N50

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD5N40FEATURESDrain Current I = 4.2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =1.6(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: P0603BDF | STS8816

 

 
Back to Top

 


 
.