Справочник MOSFET. AOD9T40P

 

AOD9T40P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD9T40P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AOD9T40P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD9T40P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:444K  aosemi
 aod9t40p.pdf pdf_icon

AOD9T40P

AOD9T40P400V,6.6A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 500V Low RDS(ON) IDM 26A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 aod9t40p.pdf pdf_icon

AOD9T40P

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD9T40PFEATURESDrain Current I = 6.6A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.8(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Другие MOSFET... AOD7N60 , AOD7N65 , AOD7S60 , AOD7S65 , AOD8N25 , AOD9N40 , AOD9N50 , AOD9N52 , RU6888R , AOH3106 , AOH3110 , AOI11S60 , AOI1N60 , AOI208 , AOI2210 , AOI2N60 , AOI2N60A .

History: RP1E050RPTR | 2SJ461A

 

 
Back to Top

 


 
.