Справочник MOSFET. AOH3106

 

AOH3106 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOH3106
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для AOH3106

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOH3106 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  aosemi
 aoh3106.pdf pdf_icon

AOH3106

AOH3106100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOH3106 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 2Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:259K  aosemi
 aoh3110.pdf pdf_icon

AOH3106

AOH3110100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOH3110 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 1.0Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOD7N65 , AOD7S60 , AOD7S65 , AOD8N25 , AOD9N40 , AOD9N50 , AOD9N52 , AOD9T40P , IRF730 , AOH3110 , AOI11S60 , AOI1N60 , AOI208 , AOI2210 , AOI2N60 , AOI2N60A , AOI403 .

History: HAT1072H | APT60M75L2LL | SWT69N65K2F

 

 
Back to Top

 


 
.