AOH3106 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AOH3106
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: SOT223
AOH3106 Datasheet (PDF)
aoh3106.pdf
AOH3106100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOH3106 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 2Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)
aoh3110.pdf
AOH3110100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOH3110 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 1.0Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: SI7716ADN
History: SI7716ADN
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918