Справочник MOSFET. AOI2N60A

 

AOI2N60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOI2N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-251A
 

 Аналог (замена) для AOI2N60A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI2N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  aosemi
aoi2n60a.pdfpdf_icon

AOI2N60A

AOD2N60A/AOI2N60A/AOU2N60A600V,2A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Advanced High Voltage MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 2A Low Ciss and Crss RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:274K  inchange semiconductor
aoi2n60a.pdfpdf_icon

AOI2N60A

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI2N60AFEATURESDrain Current I = 2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =4.7(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 7.1. Size:385K  aosemi
aoi2n60.pdfpdf_icon

AOI2N60A

AOI2N60600V, 2A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOI2N60 has been fabricated using an advancedhigh voltage MOSFET process that is designed to deliverVDS 700V@150high levels of performance and robustness in popular AC- ID (at VGS=10V) 2ADC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:273K  inchange semiconductor
aoi2n60.pdfpdf_icon

AOI2N60A

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI2N60FEATURESDrain Current I = 2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =4.4(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

Другие MOSFET... AOD9T40P , AOH3106 , AOH3110 , AOI11S60 , AOI1N60 , AOI208 , AOI2210 , AOI2N60 , 60N06 , AOI403 , AOI409 , AOI4102 , AOI4126 , AOI4130 , AOI4146 , AOI418 , AOI4184 .

History: VBM1104N

 

 
Back to Top

 


 
.