Справочник MOSFET. AOI403

 

AOI403 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOI403
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 585 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-251A
 

 Аналог (замена) для AOI403

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI403 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:398K  aosemi
aoi403.pdfpdf_icon

AOI403

AOD403/AOI40330V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AOD403/AOI403 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate ID (at VGS= -20V) -70Aresistance. With the excellent thermal resistance of the RDS(ON) (at VGS= -20V)

 ..2. Size:398K  aosemi
aod403 aoi403.pdfpdf_icon

AOI403

AOD403/AOI40330V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AOD403/AOI403 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate ID (at VGS= -20V) -70Aresistance. With the excellent thermal resistance of the RDS(ON) (at VGS= -20V)

 ..3. Size:241K  inchange semiconductor
aoi403.pdfpdf_icon

AOI403

isc P-Channel MOSFET Transistor AOI403FEATURESDrain Current I =-70A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =-30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 8.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 9.1. Size:237K  aosemi
aod409 aoi409.pdfpdf_icon

AOI403

AOD409/AOI409P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD/I409 uses advanced trench technology to VDS (V) = -60Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and low ID = -26A (VGS = -10V)gate resistance. With the excellent thermal resistance RDS(ON)

Другие MOSFET... AOH3106 , AOH3110 , AOI11S60 , AOI1N60 , AOI208 , AOI2210 , AOI2N60 , AOI2N60A , AON7403 , AOI409 , AOI4102 , AOI4126 , AOI4130 , AOI4146 , AOI418 , AOI4184 , AOI4185 .

History: LSF65R380GF | RSD221N06FRA | MP10N60EIF | JCS6AN70V | NCE65NF099T | PNMDP600V1

 

 
Back to Top

 


 
.