AOI4T60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AOI4T60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
Тип корпуса: TO-251A
Аналог (замена) для AOI4T60
AOI4T60 Datasheet (PDF)
aoi4t60.pdf

AOD4T60/AOI4T60600V,4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOD4T60 & AOI4T60 are fabricated using anadvanced high voltage MOSFET process that is designed IDM 16Ato deliver high levels of performance and robustness in RDS(ON),max
aoi4t60.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI4T60FEATURESDrain Current I = 4.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =2.1(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
aoi4t60p.pdf

AOD4T60P/AOI4T60P600V,4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 700V Low RDS(ON) IDM 16A Low Ciss and Crss RDS(ON),max
aoi4t60p.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI4T60PFEATURESDrain Current I = 4.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =2.1(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos
Другие MOSFET... AOI4286 , AOI442 , AOI444 , AOI468 , AOI478 , AOI482 , AOI4N60 , AOI4S60 , IRF540 , AOI4T60P , AOI508 , AOI510 , AOI514 , AOI516 , AOI530 , AOI538 , AOI5N40 .
History: DH045N06B | 2SK1324 | VBE2610N
History: DH045N06B | 2SK1324 | VBE2610N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869