AOI508 - описание и поиск аналогов

 

AOI508. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOI508

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 898 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO-251A

Аналог (замена) для AOI508

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI508 даташит

 ..1. Size:302K  aosemi
 aoi508.pdf pdf_icon

AOI508

AOD508/AOI508 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 10VGS ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:302K  aosemi
 aod508 aoi508.pdf pdf_icon

AOI508

AOD508/AOI508 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 10VGS ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:273K  inchange semiconductor
 aoi508.pdf pdf_icon

AOI508

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI508 FEATURES Drain Current I = 70A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.0m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

Другие MOSFET... AOI444 , AOI468 , AOI478 , AOI482 , AOI4N60 , AOI4S60 , AOI4T60 , AOI4T60P , 50N06 , AOI510 , AOI514 , AOI516 , AOI530 , AOI538 , AOI5N40 , AOI7N60 , AOI7N65 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.