AOI508 - аналоги и даташиты транзистора

 

AOI508 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOI508
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 898 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO-251A
 

 Аналог (замена) для AOI508

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI508 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  aosemi
 aoi508.pdf pdf_icon

AOI508

AOD508/AOI50830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 10VGS ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:302K  aosemi
 aod508 aoi508.pdf pdf_icon

AOI508

AOD508/AOI50830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 10VGS ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:273K  inchange semiconductor
 aoi508.pdf pdf_icon

AOI508

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI508FEATURESDrain Current I = 70A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.0m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... AOI444 , AOI468 , AOI478 , AOI482 , AOI4N60 , AOI4S60 , AOI4T60 , AOI4T60P , 50N06 , AOI510 , AOI514 , AOI516 , AOI530 , AOI538 , AOI5N40 , AOI7N60 , AOI7N65 .

History: IPB80N06S4-05 | IPB80N06S2-H5

 

 
Back to Top

 


 
.