Справочник MOSFET. AOI8N25

 

AOI8N25 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOI8N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.56 Ohm
   Тип корпуса: TO-251A

 Аналог (замена) для AOI8N25

 

 

AOI8N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  aosemi
 aoi8n25.pdf

AOI8N25 AOI8N25

AOD8N25/AOI8N25250V,8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD8N25 & AOI8N25 have been fabricated using anadvanced high voltage MOSFET process that is designed VDS 300V@150to deliver high levels of performance and robustness in ID (at VGS=10V) 8Apopular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:273K  inchange semiconductor
 aoi8n25.pdf

AOI8N25 AOI8N25

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI8N25FEATURESDrain Current I = 8.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.56(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top