Справочник MOSFET. AOI8N25

 

AOI8N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOI8N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.56 Ohm
   Тип корпуса: TO-251A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI8N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  aosemi
 aoi8n25.pdf pdf_icon

AOI8N25

AOD8N25/AOI8N25250V,8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD8N25 & AOI8N25 have been fabricated using anadvanced high voltage MOSFET process that is designed VDS 300V@150to deliver high levels of performance and robustness in ID (at VGS=10V) 8Apopular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:273K  inchange semiconductor
 aoi8n25.pdf pdf_icon

AOI8N25

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI8N25FEATURESDrain Current I = 8.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.56(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.