Справочник MOSFET. AOI9N50

 

AOI9N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOI9N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-251A
 

 Аналог (замена) для AOI9N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI9N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:388K  aosemi
 aoi9n50.pdf pdf_icon

AOI9N50

AOD9N50/AOI9N50500V,9A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD9N50 & AOI9N50 have been fabricated using anadvanced high voltage MOSFET process that is designed VDS 600V@150to deliver high levels of performance and robustness in ID (at VGS=10V) 9Apopular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:274K  inchange semiconductor
 aoi9n50.pdf pdf_icon

AOI9N50

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI9N50FEATURESDrain Current I = 9.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.86(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Другие MOSFET... AOI516 , AOI530 , AOI538 , AOI5N40 , AOI7N60 , AOI7N65 , AOI7S65 , AOI8N25 , P55NF06 , AOK10N90 , AOK18N65 , AOK20N60 , AOK20S60 , AOK22N50 , AOK27S60 , AOK29S50 , AOK40N30 .

History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7

 

 
Back to Top

 


 
.