AON2705 - описание и поиск аналогов

 

AON2705. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON2705

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.108 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2

Аналог (замена) для AON2705

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON2705 даташит

 ..1. Size:393K  aosemi
 aon2705.pdf pdf_icon

AON2705

AON2705 30V P-Channel MOSFET with Schottky Diode General Description Product Summary VDS The AON2705 uses advanced trench technology to -30V provide excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky ID (at VGS=-10V) -3.0A diode is provided to facilitate the implementation of a RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.1. Size:301K  aosemi
 aon2707.pdf pdf_icon

AON2705

AON2707 30V P-Channel MOSFET with Schottky Diode General Description Product Summary VDS The AON2707 uses advanced trench technology to -30V provide excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky ID (at VGS=-10V) -4A diode is provided to facilitate the implementation of a RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.2. Size:222K  aosemi
 aon2701.pdf pdf_icon

AON2705

AON2701 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description Features The AON2701/L uses advanced trench technology to VDS (V) = -20V provide excellent RDS(ON) and low gate charge. A ID = -3A (VGS = -4.5V) Schottky diode is provided to facilitate the RDS(ON)

Другие MOSFET... AON2406 , AON2407 , AON2408 , AON2409 , AON2410 , AON2411 , AON2420 , AON2701 , STF13NM60N , AON2707 , AON2800 , AON2801 , AON2802 , AON2803 , AON2809 , AON2810 , AON2812 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.