AON3402 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AON3402
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17.9 nC
trⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 232 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
AON3402 Datasheet (PDF)
aon3402.pdf
AON340220V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AON3402 uses advanced trench technology to VDS (V) = 20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge andID = 12.6A (VGS = 4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V whileRDS(ON)
aon3406.pdf
AON340630V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThe AON3406 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. ThisID = 10A (VGS = 10V)device is suitable for use as a load switch or in PWMRDS(ON)
aon3408.pdf
AON340830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryFeaturesThe AON3408 uses advanced trench technology to VVDS (V) 30V (V) ==30VDSprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. ThisIDD 9.2A (VGS 10V)I ==11A (VGS ==10V)device is suitable for use as a load switch or in PWMRDS(ON)
aon3414.pdf
AON341430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 10.5A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)
aon3419.pdf
AON341930V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AON3419 combines advanced trench MOSFET -30Vtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-10V) -10Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-10V)
aon3414.pdf
AON341430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 10.5A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918